FDC6327C-Gehäuse TSOT-23-6 Dual FET, MOSFET, N- und P-Kanal, 1,9 A
| Modellnummer | FDC6327C |
| Kategorien | Diskrete Halbleiterprodukte > Transistoren - FETs |
| Reihe | PowerTrench® |
| Status des Teils | Aktiv |
| FET-Typ | N- und P-Kanal |
| FET-Funktion | Logik-Pegel-Gatter |
| Abfluss zur Quelle | 20 V |
| Aktuell - | 2,7 A, 1,9 A |
| Rds Ein (Max) @ ID | 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1,5 V @ 250 μA |
| Gate Charge (Qg) | 4,5 nC @ 4,5 V |
| Eingangskapazität | 325pF @ 10V |
| Leistung - Max | 700mW |
| Bedienung | -55 °C ~ 150 °C (TJ) |
| Andere Namen | FDC6327C-ND |
HÄUFIG GESTELLTE FRAGEN:
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FDC6327C-Gehäuse TSOT-23-6 Dual FET, MOSFET, N- und P-Kanal, 1,9 A
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